ESD 二极管是专门为静电防护设计的器件。当反向偏压超过反向击穿电压时，反向电流突然增加，形成恒定电压区域，可以控制浪涌电压‌。将ESD二极管并联于电路中‌，当电路异常过压时，二极管迅速由高阻态变为低阻态，提供低阻抗导通路径，同时把异常高压钳制在安全水平内‌。ESD二极管还可用于实现Gate Clamp技术‌，通过连接MOS管的源/漏与栅端，利用二极管的钳位特性保护易出现失效的MOS管‌。随着电子产品的不断发展，对ESD二极管的需求也在不断增加‌。未来，ESD二极管将向更高性能、更小体积、更低功耗等方向发展，以满足日益增长的市场需求和不断变化的防护要求‌。

‌ESD二极管作为齐纳二极管，具有齐纳击穿和雪崩击穿两种特性‌。齐纳击穿是电子隧穿耗尽区导致的反向电流突然增加，而雪崩击穿则是由于电子与晶格原子碰撞电离产生的。这两种击穿特性使得二极管能够在不同的电压范围内提供有效的保护‌。ESD二极管普遍应用于各类电子设备中，如计算机机房设备、通讯设备、精密仪器仪表及医疗设备等‌。其体积小、重量轻、可靠性高的特点使得它成为静电防护的理想选择‌。将ESD二极管并联于电路中，当电路正常工作时，它处于截止状态（高阻态），不影响线路正常工作‌。当电路出现异常过压并达到其击穿电压时，二极管迅速由高阻态变为低阻态，为瞬间电流提供低阻抗导通路径，同时将异常高压钳制在安全水平内，保护被保护IC或线路‌。

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